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偏壓電源
Bias Power Supply
偏壓電源在真空離子鍍膜工藝中對膜層質量起著至關重要的作用,偏壓可顯著提升沉積速率、提升膜層與工件的結合力、增加膜層致密性。精新偏壓電源可運行于等離子清洗、刻蝕和偏壓三種不同的功能模式,適用于等離子體薄膜沉積工藝中的不同流程。
JX-B-D直流偏壓
沉積速率快,易拉弧。適用于多數傳統鍍膜工藝
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JX-B-P單極脈沖偏壓
頻率高達360KHz,可有效提高氧化膜、半導體膜的沉積速率,并能大幅減少打弧次數和能量
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JX-B-DP直流疊加脈沖偏壓
可有效提高氧化膜、半導體膜的沉積速率,并能大幅減少打弧次數和能量
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JX-B-PB雙極非對稱脈沖
正負脈沖幅值、寬度連續(xù)可調,沉積速率低,適合鍍硬質高端膜,大幅降低打弧次數和能量
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JX-B-FM多波形偏壓
多種脈沖波形輸出,增加脈沖波形選擇靈活性。該電源在恒流模式下可用作濺射電源
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